等離子蝕刻機可實現外觀清洗、外觀活化、外觀蝕刻和外觀涂層的功能。根據不同的處理材料和目的，機器可以達到不同的處理效果。應用于半導體行業的等離子蝕刻機有等離子蝕刻、顯影、去膠、封裝等。蝕刻過程在集成電路芯片芯片封裝中，不只可以蝕刻外觀的光刻膠，還可以蝕刻下面的氮化硅層。調節真空等離子蝕刻機的部分參數，可以得到特定的氮化硅層形狀，即側壁蝕刻傾角。

        氮化硅(Si3N4)是目前最熱門的新材料之一，具有密度小、硬度高、彈性模量高、熱穩定性好等特點，廣泛應用于許多領域。在晶片制造中，氮化硅可以代替氧化硅。由于其高硬度，可以在晶片外觀形成非常薄的氮化硅薄膜(在硅片加工中，最廣泛使用的單位是埃)，厚度約為幾十埃，保護外觀，避免劃傷。此外，其突出的絕緣強度和抗氧化能力也能達到良好的隔離效果。氮化硅的缺點是其流動性不如氧化物，難以蝕刻。等離子蝕刻可以克服蝕刻的困難。
       等離子蝕刻機是采用化學或物理或化學的共同作用來實現的。化學反應腔的氣體電離，是指離子、電子和游離基等活性物質的等離子體，采用擴散吸附在介質外觀，與介質外觀的原子對其進行化學反應，形成揮發性物質。而且，高能量離子在有一定壓力下對介質外觀對其進行物理轟擊和蝕刻，去除再沉積的化學反應產物和聚合物。采用化學和物理的共同作用完成介質層的蝕刻。
       蝕刻是晶圓制造加工制作工藝 中的一個重要環節，也是微電子IC制造加工制作工藝 和微納制造加工制作工藝 中的一個重要環節，一般在光刻膠涂布和光刻顯影后，以光刻膠為掩膜，采用物理濺射和化學作用去除不必要的金屬，其目的是形成與光刻膠圖形相同的線路圖形。等離子蝕刻機是主流的干式蝕刻，由于其良好的蝕刻速度和方向性，目前已逐步取代濕式蝕刻。
       對于IC芯片芯片封裝，真空等離子蝕刻機的蝕刻加工制作工藝一方面能蝕刻表面上的光刻膠，還能防止硅襯底的蝕刻損壞，從而滿足許多加工制作工藝的要求。實驗報告顯示，改善真空等離子體清洗機的部分參數，既能滿足蝕刻要求，又能形成一定形狀的氮化硅層，即側壁蝕刻傾角。