工藝技術和應用條件上的區別使得目前市場上的清洗設備也有明(顯)的差異化，目前，市場上主要的清洗設備有單晶圓清洗設備、自動清洗臺和洗刷機三種。在21世紀致今的跨度上來看，單晶圓清洗設備、自動清洗臺、洗刷機是主要的清洗設備。
      單晶圓清洗設備一般是指采取旋轉噴淋的方式，用化學噴霧對單晶圓進行清洗的設備，相對自動清洗臺清洗效率較低，產能較低，但有著極高的制程環境控制能力與微粒去除能力。自動工作站，也稱槽式全自動清洗設備，是指在化學浴中同時清洗多個晶圓的設備優點是清洗產能高，適合大批量生產，但無法達到單晶圓清洗設備的清洗精度，很難滿足在目前(頂)尖技術下全流程中的參數要求。并且，由于同時清洗多個晶圓，自動清洗臺無法避免交叉污染的弊端。洗刷器也是采取旋轉噴淋的方式，但配合機械擦拭，有高壓和軟噴霧等多種可調節模式，用于適合以去離子水清洗的工藝中， 包括鋸晶圓、晶圓磨薄、晶圓拋光、研磨、CVD等環節中，尤其是在晶圓拋光后清洗中占有重要地位。

      單晶圓清洗設備與自動清洗臺在應用環節上沒有較大差異，兩者的主要區別在于清洗方式和精度上的要求，以45nm為關鍵分界點。簡單而言，自動清洗臺是多片同時清洗，的優勢在于設備成熟、產能較高，而單晶圓清洗設備是逐片清洗，優勢在于清洗精度高，背面、斜面及邊緣都能得到有效的清洗，同時避免了晶圓片之間的交叉污染。45nm之前，自動清洗臺即可以滿足清洗要求，在目前仍然有所應用；而在45以下的工藝節點，則依賴于單晶圓清洗設備達到清洗精度要求。在未來工藝節點不斷減小的情況下，單晶圓清洗設備是目前可預測技術下清洗設備的主流。
      等離子清洗設備是貫穿半導體產業鏈的重要環節，用于清洗原材料及每個步驟中半成品上可能存在的雜質，避免雜質影響成品質量和下游產品性能，在單晶硅片制造、光刻、刻蝕、沉積等關鍵制程及封裝工藝中均為必要環節。