濕法清洗和干法plasma清洗2種蝕刻方式優缺點對比較：
        濕法清洗系統，適用于先進的無損兆聲清洗，可用于加工制造易損壞帶或無圖案的基板，包括帶保護膜的模板。為了保證基片不受損傷，達到良好的清潔效果，必須保持兆聲能量密度略低于樣片上任意位置的損傷閾值。濕法刻蝕技術使基片表面聲波能量均勻分布，提升了分布能量以支持理想清洗，并保證在樣片損傷閾值范圍內。該系統具有重復性高，均勻度好，Z級先進的兆聲清洗功能，兆聲輔助下的光刻膠剝離和濕法刻蝕功能。本產品可按工藝步驟進行無損檢測、化學試劑清洗、刷子清洗、干燥等。
2種濕式和干式plasma清洗方式優缺點對比比較：

      濕法蝕刻系統是通過化學蝕刻液與被蝕刻物之間的化學反應使其剝落的一種蝕刻方式。濕法蝕刻多為各向同性蝕刻，不易控制。
特點：適應性強，表面均勻，對硅片的損傷小，幾乎適用于所有的金屬、玻璃、塑料等材料。
缺點：繪圖質量不理想，繪圖中的小線難以把握。
干法蝕刻系統的蝕刻介質是等離子體，它是利用等離子體與表面膜反應，產生揮發性物質，或直接轟擊膜表面使其蝕刻的過程。
特征性：能實現各向異性蝕刻，以保證細節轉換后圖像的保真性。
缺點：成本一般，且用于微流控芯片的制備較少。
       干式plasma清洗系統包括：用于容置電漿用的空腔；空腔上方的石英盤；石英盤上方的多個磁體；旋轉機構，它帶動多個磁體旋轉，其中多個磁體產生與該磁體一起旋轉的磁場。通過進一步提高粒子的碰撞頻率，可以獲得佳的電漿均勻性，提高等離子濃度。