工作壓力對等離子清潔效果的干擾:
       工作壓力是等離子清潔的重要參數(shù)之一。壓力的提升意味著等離子密度的提升和粒子平均能量的減低。化學反應主導的等離子密度的提升可以顯著提高等離子系統(tǒng)的清潔速度，而物理轟擊主導的等離子清潔系統(tǒng)效果并不明顯。此外，壓力的變化可能會致使等離子清潔反應機制的變化。例如，硅片刻蝕過程中使用的CF4/O2等離子在壓力較低時發(fā)揮主導作用，伴隨著壓力的提升，化學刻蝕不斷增強，并逐漸發(fā)揮主導作用。
電源功率和工作頻率對等離子清潔效果的干擾:

       電源的輸出功率對等離子的所有參數(shù)都有干擾，如電極溫度、等離子產生的自偏壓和清潔效率。伴隨著輸出功率的提升，等離子的清潔速度逐漸提升，并逐漸穩(wěn)定在峰值，而自偏壓則伴隨著輸出功率的提升而提升。由于輸出功率范圍基本恒定，工作頻率是干擾等離子自偏壓的關鍵參數(shù)，伴隨著工作頻率的提升，自偏壓逐漸下降。此外，伴隨著工作頻率的提升，等離子中電子的密度會逐漸提升，粒子的平均能量也會逐漸下降。
       運轉的氣體的選擇對等離子清潔效果的干擾是等離子清潔工藝技術的關鍵步驟。雖然大多數(shù)的氣體或的氣體混合物可以去除污染物，但清潔速度可以相距好幾倍甚至數(shù)十倍。