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CRF plasma 等離子清洗機

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晶圓材料等離子火焰處理機是必不可少的設備,那應該選哪種型號

晶圓材料等離子火焰處理機是必不可少的設備,那應該選哪種型號:
       半導體晶圓清洗可分濕法和干式工藝,CRF等離子火焰處理機清洗屬于干法式,而晶圓表面的污染物是要在顯微鏡和放大鏡下才能看到,需要等離子轟擊才能清理干凈。那么晶圓的清潔應選用哪類設備?CRF真空等離子火焰處理機值得首選。
        等離子火焰處理機工藝的過程是:先將晶圓放入真空腔內,然后用干泵抽真空,在達到預設的真空度后通入反應氣體,這些反應氣體被電離形成等離子體與晶片表面進行化學和物理反應,產生揮發物,將晶圓表面處理干凈,使其保持親水狀態。那用來清洗晶片的等離子體清洗設備在選擇時應該注意哪些地方呢?

等離子火焰處理機

一、空腔及支架的要求
       等離子體清洗晶圓在千級以上的無塵室中進行,對晶圓的要求非常高,如果晶圓出現任何不合格的晶圓,就會導致無法修復的缺陷。因此設計等離子體清洗設備的空腔首先必須是鋁,而非不銹鋼;放置晶片的支架滑動部,要盡量采用不容易產生灰塵和等離子腐蝕的材料;電極和支架便拆掉,方便日常維護。
二、電極間距和層數,以及對氣路分布的要求:
等離子體清洗設備反應腔內電極間距、層數、氣路分布等參數對晶圓加工均勻性有重要影響,這些指標需要不斷試驗優化。
三、電極板的溫度要求
       等離子化清洗過程中,會產生一定的熱量積累,在工藝需要時,必須保持電極板在一定的溫度范圍內,因此一般都會給等離子清洗就的電極加水冷卻。
四、擺放小技巧
       多層式等離子火焰處理機的生產能力較高,可按需在每層支架上放置多片晶片,比較適用于半導體分立器件、電力電子元件專用4寸、6寸晶片的光刻底膜清除等。
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